华为哈勃投资天域半导体:发力第三代半导体材料碳化硅_铸铝、铸铁加热器_ballbet贝博网站官网_贝博在线登录
欢迎光临~ballbet贝博网站官网_贝博在线登录厂官方网站

铸铝、铸铁加热器

当前位置:首页 > 产品展示 > 铸铝、铸铁加热器

华为哈勃投资天域半导体:发力第三代半导体材料碳化硅

时间: 2024-02-15 07:59:30 |   作者: 铸铝、铸铁加热器

  除了投资“芯片之母”EDA企业,企查查工商资料显示,华为旗下哈勃科技日前入股东莞市天域半导体科技有限公司,后者注册资本也从9027万元增加到9770万元,增幅8%。

  据悉,东莞市天域半导体成立于2009年,位于松山湖高新技术产业园区,是我国首家专门干第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。

  2010年公司与中科院半导体所合作成立“碳化硅技术研究院”,目前已引进三台世界一流的SiC-CVD及配套检测设备,生产技术达到国际先进水平。

  至于深圳哈勃科技,华为技术有限公司则出自69%、华为终端出资30%、哈勃科技出资1%,今年4月刚刚成立。

  所谓第三代半导体,主要是二十一世纪以来以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石四种为代表的半导体材料,即高温半导体材料。第一代半导体材料主要是硅(Si)、锗元素(Ge),第二代主要是化合物半导体材料。

  日立制作所和日立汽车系统公司2015年9月28日宣布,面向混合动力车和纯电动汽车开发出了高效率、高功率的逆变器。与日立的原产品相比,新产品的电力损耗削减60%,一样体积下的电力容量扩大到了约2倍。有助于实现长距离行驶,以及提高加速性能。     此次,日立运用了以前开发的SiC与GaN并行封装技术和双面冷却型功率模块技术,开发出了全SiC功率模块以及采用这种模块的HEV/EV用逆变器。为了使各SiC功率半导体的开关时间均等,运用了以前开发的并行封装技术。也就是说,开发出了使接入各SiC功率半导体的控制信号线长度相同的布线基板,使各布线的电阻特性得以均衡。由此,可以充分的发挥SiC功率半导体的低电阻特性,扩大了电力容量。

  近日,露笑科技发布投资者关系活动记录表,其中透露了合肥碳化硅项目新动态。 2020年8月8日、2020年9月15日,露笑科技分别与合肥市长丰县人民政府、安徽长丰双凤经济开发区管理委员会签署《合肥市长丰县与露笑科技股份有限公司共同投资建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园的战略合作框架协议》和《长丰县招商引资项目投资合作协议》。 据悉,露笑科技将与合肥市长丰县人民政府在合肥市长丰县共同投资建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园,包括但不限于碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目包括碳化硅晶体生长、衬作、外延生长等的研发生产,项目投资总规模预计100亿元。 露笑科技表示,2021年6月25日,露笑科技与合肥北城、长丰四面体、合肥

  如今随着移动电子设备、笔记本电脑和平板电脑一直增长,对低压电源适配器的需求前所未有。 事实上,根据UnitedSiC总裁兼首席执行官J. Christopher Dries博士的说法,目前市场上有超过3亿个低压充电器使用,每个低压充电器都包含一个反激式转换器。 由于对这一些器件非常依赖功率转换,因此设计人员始终致力于提高效率,降低传统开关电路产生的转换损耗。 目前,低压充电器市场仍然以硅材料为主,并已持续数十年。 “硅技术目前仍主导市场,如果我们要认真提高效率,我们应该降低这些设备的热损耗。”ROHM半导体欧洲公司电力系统经理Aly Mashaly解释道。 “过去的情况是,如果你让笔记本电脑开机几个小时就变得很热,今天我们正真看到了由于电

  大联大旗下品佳代理的英飞凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有利于电源转换方案的研发人员节约空间、减轻重量、降低散热要求,并提高可靠性和降低系统成本。 大联大品佳代理的英飞凌的这款SiC MOSFET带来的影响非常显著。电源转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的三倍或以上。还能带来诸多益处,如减少磁性元件和系统外壳所用的铜和铝两种材料的用量,便于打造更小、更轻的系统,由此减少运输工作量,并且更便于安装。新解决方案有助于节能的特点由电源转换设计人员来实现。这些应用的性能、效率和系统灵活性也将提升至全面层面。 这款全新的MOSFET融

  2023 年 10 月 30 日, 中国 – 意法半导体发布了 ACEPACK1 DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块,新系列新产品采用便捷的 32 引脚双列直插通孔塑料封装 ,目标应用是车载充电机(OBC)、 DC/DC直流变压器、油液泵、空调等汽车系统,产品优点包括高功率密度、设计高度紧凑和装配简易等,提供四管全桥、三相六管全桥和图腾柱三种封装配置,增强了系统模块设计灵活性。 新模块内置1200V SiC功率开关管,意法半导体第二代和第三代 SiC MOSFET先进的技术确保碳化硅开关管具有很低的导通电阻R DS(on) 。模块具有高效的开关性能,将温度影响降至最低,确保功率转换系统具备极高的能效和可靠性。

  功率模块提供多功能封装配置 /

  “假如把我国1/3的 照明 替换成LED半导体 照明 ,那么每年能节约一个三峡工程的发电量。”在办公的地方墙上挂着的白板前,51岁的西安交通大学电子与信息工程学院教授云峰一边写写画画,一边对记者说。下面就随半导体小编共同来了解一下相关联的内容吧。 “始终想为祖国做点什么,我将把后半生都奉献在这里。”7年前,云峰带着自己多年的学术积累和核心技术从美国归来。近几年,他和他领导的团队在国际上首次解决了垂直结构LED的技术和产业化瓶颈,开创了第三代半导体 照明 芯片 技术的新时代,同时也填补了我国在该领域的技术空白。 云峰(左二)在指导科研 归国是心灵的呼唤 2005年,云峰受聘于美国麻省理工学院创办的高科技公司,担

  Wolfspeed 宣布计划在德国萨尔州建造全球最大、最先进的碳化硅器件制造工厂 • 将成为全世界最大的200mm 半导体工厂,采用创新性制造工艺来生产下一代碳化硅器件。 • 扩展至欧洲的碳化硅器件制造布局,将支持不断加速中的客户的真实需求,同时也将支持公司在 2027 财年达成 40 亿美元的长期营收展望。 • 将成为公司先前宣布的 65 亿美元全球产能扩张计划的重要组成部分。65 亿美元全球产能扩张计划还包括了 John Palmour 碳化硅制造中心(即目前正在建设中的位于美国北卡罗来纳州的全球最大碳化硅晶体生长工厂)、已经落成的公司莫霍克工厂。 • 采埃孚将向 Wolfspeed 进行重要投资,以支持项目建设。

  器件制造工厂 /

  国内环保规定对汽车排放要求越来越严苛,用户开始纷纷选择新能源汽车作为代步工具。据中汽协的统计显示,2018年上半年国内新能源汽车(包括纯电动和插电式混合动力汽车)产销累计分别为41.3万辆和41.2万辆,销量比上年同期增长111.5%。其中,纯电动汽车销量为31.3万辆,同比增长96.0%;插电式混合动力汽车销量为9.9万辆,同比猛增181.6%。   然而,新能源汽车的续航和安全一直是业界的热议点。关于续航,车厂在寻求扩大电池容量的同时也在节能方面不断下功夫,比如从小型化、轻量型入手。在今天的“2018北京国际汽车制造业暨工业装配博览会”上, 罗姆 公司以“用半导体为汽车的未来做贡献”为理念,带来了新能源汽车、汽车小型化轻量化、

  器件在新能源汽车的车载电源DCDC 变换器中应用

  术语

  直播回放: Rochester 罗彻斯特电子为您细说 - 半导体停产后的挑战与解决方案

  MPS电机研究院 让电机更听话的秘密! 第一站:电机应用知识大考!跟帖赢好礼~

  电源小课堂 从12V电池及供电网络优化的角度分析电动汽车E/E架构的趋势

  据共同社2月6日报道,日本经济产业省6日宣布,将为半导体巨头日本铠侠控股公司和美国西部数据公司在三重县和岩手县合营的工厂量产最尖端存 ...

  一个由欧洲和以色列物理学家组成的团队在量子纳米光子学领域取得重大突破。他们引入了一种新型的极化子腔,并重新定义了光子限制的极限。6 ...

  除汽车行业以外,市场环境依然疲软;基于货币和市场疲软等因素,对2024财年业绩展望做出调整2024财年第一季度:营收为37 02亿欧元,利润达8 ...

  日本东京都立大学研究人员通过混合两种材料,创造了一种具有手性晶体结构的新型超导体。新的铂铱锆化合物在2 2K温度以下转变为超导体, ...

  据台湾《工商时报》网站2月4日报道,美国持续扩大对中国大陆半导体出口禁令,美国商务部规划3月派出说明团赴台,引起市场关注。据了解,此 ...

  良率0%?消息称三星3nm GAA工艺试产失败 Exynos 2500芯片被打上问号

  英飞凌推出适用于低功耗设备的高度集成的 iMOTION™ IMI110 系列模块

  Cadence 发布面向 TSMC 3nm 工艺的 112G-ELR SerDes IP 展示

  意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管,优值系数提高 40%

  站点相关:市场动态半导体生产材料技术封装测试工艺设备光伏产业平板显示EDA与IP电子制造视频教程